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浅谈N型半导体硅与P型半导体硅的区别
日期:2023-09-18   [复制链接]
责任编辑:sy_chenglingyan 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]
半导体品体硅经过有目的的掺杂后,引入了微量杂质,成为非本征半导体,非本征半导体分为n型和p型两大类。

1、n型晶体硅

当晶体硅中掺入微量杂质Ⅴ族元素时,它的5个价电子与硅原子形成4个共价键,Ⅴ族离子核多出一个正电荷,形成正电中心,同时还多出一个价电子,这个电子受正电中心束缚,形成束缚态电子,其能级位于导带底以下。

如下图所示为掺施主(磷)的n型半导体硅价键示意图。由图可见,一个硅原子被具有5个价电子的V族元素磷原子取代时,磷原子与其邻近的4个硅原子形成共价键,多余的一个电子则成为可导电的电子。

640 (1)

当电子获得能量并挣脱V族杂质原子的束缚时,变成能导电的电子,同时形成正电中心。这种能释放电子到导带形成正电中心的杂质原子称为施主。图中所示的能提供电子的磷原子就是施主。由于硅中施主能提供电子,电子是带负电荷的载流子,所以杂质中以施主为主的半导体硅称为n型半导体硅。

2、p型晶体硅

当在晶体硅中掺Ⅲ族杂质原子时,由于它只有3个价电子,与硅原子只能形成3个共价键,所以在价键中出现一个空位(称为空穴)。空穴相当于正电荷。Ⅲ族原子的离子核只带3个正电荷,在晶格中形成负电中心,负电中心能束缚空穴。

如下图所示,显示了只有3个价电子的硼原子取代了硅原子,在与邻近的硅原子形成4个共价键时,需要接受一个电子,在价带上就产生了一个带正电荷的空穴。这种形成负电中心的Ⅲ族杂质能接受价带中的电子而在价带中形成空穴,因此被称为受主杂质,其能级称为受主能级,图中所示的能接受电子的Ⅲ族杂质硼原子就是受主。

640 (2)

可将空穴视为带正电荷的载流子。以能够形成带正电荷的载流子的受主为主的半导体称为p型半导体硅。

3、总结:

当纯硅中掺入施主杂质(V族元素磷、砷、锑)时,可形成n型硅,n型硅可导电的电子浓度远大于可导电的空穴浓度,电流依靠电子输运,电子为多数载流子(简称多子),空穴为少数载流子(简称少子)。

当纯硅中掺入受主杂质(Ⅲ族元素硼、铝、镓)时,可形成P型硅,P型硅空穴浓度远大于电子浓度,电流依靠空穴运输,空穴为多子,电子为少子。 

原标题:浅谈N型半导体硅与P型半导体硅的区别
 
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来源:光伏学习
 
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