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射频(RF)微晶P高速率高晶化率镀膜,大产能异质结PECVD提效降本之路
日期:2023-08-03   [复制链接]
责任编辑:sy_dingshuqi 打印收藏评论(0)[订阅到邮箱]
近日,捷佳伟创常州HJT中试线成功研发出具有行业先进水平的射频(RF)微晶P工艺,微晶P薄膜沉积速率超过2埃/秒,同时晶化率稳定在50%以上。常州中试线制备的基于双面微晶的12BB异质结电池平均效率达到25.1%(德国ISFH(哈梅林)标准),电池良品率稳定在98%以上。

射频(RF)微晶P的高速高质量沉积,一直是困扰异质结大产能板式PECVD的技术难点,通过本次技术突破,捷佳伟创的大产能射频板式PECVD预计将比市面上主流设备减少1-2个微晶P腔体。射频(RF)微晶P设备工艺均匀性达到6%以内,稳定性和重复性均在中试线量产设备上得到充分验证,达到行业先进技术水平。

一直以来,捷佳伟创在积极推进HJT的产业化发展。公司在湿法设备、PECVD/CAT-CVD、PVD/RPD/PAR、丝网印刷/铜电镀/新型组件焊接设备方面进行深入研究,具备HJT电池整线交钥匙工程的能力。公司近期已中标全球头部光伏企业量产型HJT整线订单,标志着公司在HJT全路线装备和工艺技术上取得突破,获得市场及客户认可。

此次射频(RF)微晶P高速率高晶化率工艺取得突破,进一步增强了公司在HJT设备领域的竞争优势。捷佳伟创始终坚持实干与创新为一体,坚持“逢山开路,遇河架桥”的创新精神,积极改革设备技术、持续扩大研发范围,为光伏行业的稳定发展注入生生不息的源动能。 

原标题:射频(RF)微晶P高速率高晶化率镀膜,大产能异质结PECVD提效降本之路
 
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来源:捷佳伟创
 
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