基体电阻由硅片的品质决定。扩散方块电阻可以调节，但又伴随着结深的变化。栅线电阻主要靠丝网印刷参数决定，重要的是栅线的清晰度和高宽比（越大越好）。当然，若单纯的减少串联电阻，栅线可以很宽，但高度较低，这样会增大遮光面积。接触电阻主要看电极印刷效果、烧结的效果等。

2.2并联电阻

并联电阻Rsh主要由于p-n结不理想或在结附近有杂质，这些都能导致结短路，尤其是在电池边缘处。并联电阻反映的是电池的漏电水平。漏电流理论上可以归结到并联电阻上。并联电阻影响太阳电池开路电压，Rsh减小会使开路电压降低，但对短路电流基本没有影响。
并联电阻过小可能由一下原因引起：

边缘漏电（刻蚀未完全、印刷漏浆）。

基体内杂质和微观缺陷。

PN结局部短路（扩散结过浅、制绒角锥体颗粒过大）。

3.0 串、并联电阻的影响


3.1 串联电阻对填充因子的影响

因为填充因子决定着电池输出功率，因此最大输出功率受串联电阻影响，可以近似表示为：




如果太阳能电池内阻定义为：